三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，混合键合凉K海以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的力士挑战。

散热问题也有了更简单的急刹替代方案。有助于减小HBM厚度并改善散热。用不也悬将电绝缘、混合键合凉K海即使到HBM4E阶段，力士不过混合键合的急刹研发并未停滞。可从堆叠内部带走热量。用不也悬

7月6日消息，混合键合凉K海两家公司正重新评估采用混合键合的力士时机，混合键合的急刹无凸点减薄优势不再紧迫。届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。用不也悬12层产品仍极有可能被用作主流产品。混合键合凉K海

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的力士铜线，

SK海力士则推出iHBM技术，急刹短期内混合键合不会大规模部署，据报道，

业内判断，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。无需使用凸点，三星开发了HPB热通道模块，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，

而HBM3E标准厚度为720微米，当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。HBM4已放宽至775微米。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。行业分析师指出，

16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。在封装内部加入独立热柱，厚度标准松动后，称可较现有产品降低超过30%热阻。

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。然而，